Högupplöst djupprofilering och kristallografi

Med anledning av den pågående miniatyriseringen och även den ökade användningen av enkristallina material i elektronik, har vi satt upp ett flygtidssystem: Time-Of-Flight Medium-Energy Ion Scattering (TOF-MEIS). Med detta kan vi utföra djupprofilering och kristallografiska studier för prover som är alltför tunna för att undersökas med konventionell jonstrålebaserad materialanalys.

Med den här metoden kan vi erhålla information om filmsammansättning, homogenitet och kristallografi ner till 1 nm tjocklek. Eftersom vi tillämpar extremt låga partikelflöden i strålen är undersökningarna praktiskt taget icke-destruktiva.

Den här metoden har potential som ännu inte till fullo har utforskats, för framtida utveckling av elektronik och sensorer.

  • Linnarsson, M. K.; Hallen, A.; Åström, Jonas; Primetzhofer, Daniel et al.

    New beam line for time-of-flight medium energy ion scattering with large area position sensitive detector

    Ingår i Review of Scientific Instruments, s. 095107-, 2012.

  • Ström, Petter; Petersson, Per; Rubel, Marek; Primetzhofer, Daniel et al.

    Ion beam analysis of tungsten layers in EUROFER model systems and carbon plasma facing components

    Ingår i Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, s. 355-359, 2016.