Jonimplanter

Högströmsjonimplantern med maximal accelerationsspänning på 350 kV och en partikelström upp till 1 milliampere möjliggör högdosimplantation av joner över stora provytor för att ändra materialegenskaper. Den används även som jonkälla för jonstråleanalys med ett unikt s.k. Time-of-Flight(ToF)-MEIS-system för icke-destruktiv djupupplöst kristallografi på nanometernivå.

Mer information om implanterns olika delar:

Del 1, (sidan är under konstruktion)
Del 2, system för högupplöst djupprofilering av tunnfilmer
Del 3, multifunktionell spridningskammare för sub-MeV-jonstråleanalys